65纳米的i—1e，可以一直用到05微米的节点。

再向下，就需要用准分子的雷射器了，比如说产生248纳米波长的「雷射器和产生193纳米波长的rf雷射器等等，其中后者更加重要，因为在使用了浸入式技术之后，193纳米的波长会缩短到134纳米，然后通过多重曝光技术，可以从180

纳米一直用到7纳米。

后世最先进的uv光刻机，可以制造3纳米甚至是2纳米的晶片，但是那毕竟只是少数，对大部分的晶片来说，28纳米就足够用了。

可以说，f技术的浸入式光刻机，就是下一个研发难点，需要投入大量的资金，如果国家能提供资金的话，就能更好地完成研发了！

而且，己方目前晶片已经叠代到了025微米，下一个工艺节点就是018微米，虽然可以通过现有的光刻机多重曝光来提升制程，但是如果有更好的技术，当然也要一步到位啊。

把浸润式的rf光刻机研发出来，可以直接用到7纳米！这样在信息技术领域里，就会继续牢牢地掌握世界一流水平！

听到秦亮的话，朱老点头：「好，这两个项目，给你们拨款十亿。」

「朱老，咱们这863计划，怎么变成西工大主导了？」终于，下面有人发出了不满的声音。

「你们也可以来啊，承诺研发成果，造不出来就退还研发经费。」朱老说道：「如果有这个本事，那咱们就不说什么了，如果没有，那也别眼红别人，西工大有技术，有担当，为何不能承接更多的项目？」

下面没有人说话了。

「好，接下来，我们说自动化项目，秦校长，还是你们西工大来主导吧，毕竟，自动化技术严重依赖于先进的电子设备，在这个领域里，你们西工大世界第，」